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근거리무선통신 (Dedicated Short Range Communication, DSRC)은 지능형교통시스템 서비스 제공을 위한 통신 수단으로, 수 미터에서 수백 미터인 근거리 영역의 노변장치(Road Side Equipment, RSE)와 차량탑재장치(On-Board Equipment, OBE)와의 양방향 고속통신을 수행하는 통신시스템이다. 본 논문에서는 SiGe HBT 공정을 이용하여 근거리무선통신 송신기용 5.8 GHz 상향믹서를 설계 및 제작하였다. 설계된 상향믹서는 믹서코어 회로와 더불어 IF/LO/RF 입출력 정합 회로, IF/LO 입력 발룬 회로와 RF 출력 발룬 회로가 단일칩으로 구현되었다. 제작된 상향믹서는 2.7 mm X 1.6 mm의 크기를 가지며, 3.5 dB의 전력변환이득과 -12.5 dBm의 OIP3, 42 dB의 LO to IF isolation, 38 dB의 LO to RF isolation, 3.0 V의 공급전압 하에서 29 mA의 전류소모로 측정되었다.
목차
요 약
ABSTRACT
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. SiGe 능동소자와 수동소자의 특성 및 모델
Ⅲ. DSRC 송신기용 5.8 GHz 상향믹서 설계
Ⅳ. 5.8 GHz SiGe 상향믹서 제작 및 측정
Ⅴ. 결 론
참고문헌
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H. Oh, C. Yae, D. Ahn, and H. Cho, “5.8 GHz DSRC packet communication system for ITS Services,” IEEE Vehicular Technology Conference, pp. 2223-227, 1999.
E.C. Low, K. Yan, H. Nakamura, H. Fujishiro, “A plastic package GaAs MESFET 5.8-GHz receiver front-end with on-chip matching for ETC system,” IEEE Tran. on Microwave Theory and Techniques, 48(2), pp. 209-213, Feb. 2000.
S.-Y. Lee, H.-S. Kim, S.-H. Lee, K.-H Shim, J.-Y. Kang, M.-K. Song, “The behavior of Ti silicidation on Si/SiGe/Si base and its effect on base resistance and fmax in SiGe hetero-junction bipolar transistors,” Journal of Materials Science: Materials in Ele
B. Razavi, RF Microelectronics, Prentice Hall, Inc., pp. 166-204, 1998.
B. Gilbert, “The multi-tanh Principle: A tutorial overview,” IEEE Journal of Solid- State Circuits, 33(1), pp. 2-17, Jan. 1998.
E.C. Low, K. Yan, H. Nakamura, H. Fujishiro, “A plastic package GaAs MESFET 5.8-GHz receiver front-end with on-chip matching for ETC system,” IEEE Tran. on Microwave Theory and Techniques, 48(2), pp. 209-213, Feb. 2000.
S.-Y. Lee, H.-S. Kim, S.-H. Lee, K.-H Shim, J.-Y. Kang, M.-K. Song, “The behavior of Ti silicidation on Si/SiGe/Si base and its effect on base resistance and fmax in SiGe hetero-junction bipolar transistors,” Journal of Materials Science: Materials in Ele
B. Razavi, RF Microelectronics, Prentice Hall, Inc., pp. 166-204, 1998.
B. Gilbert, “The multi-tanh Principle: A tutorial overview,” IEEE Journal of Solid- State Circuits, 33(1), pp. 2-17, Jan. 1998.
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