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본 논문에서는 내장된 메모리의 자체 테스트를 통한 메모리 고장 유무 확인과 더불어 메인 메모리의 고장난 부분을 여분의 메모리로 재배치하여 사용자로 하여금 고장난 메모리를 정상적인 메모리처럼 사용할 수 있도록 BISR(Build-In Self Repair) 설계 및 구현을 하였다. 메인 메모리를 블록 단위로 나누어 고장난 셀의 블록 전체를 재배치하는 방법을 사용하였으며, BISR은 BIST(Build-In Self Test) 모듈과 BIRU(Build-In Remapping Unit) 모듈로 구성된다. 실험결과를 통해 고장난 메모리를 여분의 메모리로 대체하여 사용자가 메모리를 사용함에 있어서 투명하게 제공하는 것을 확인 할 수 있다.
목차
요 약
ABSTRACT
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 기존 연구
Ⅲ. 자가 고장 복구 개념
Ⅳ. 자가 고장복구 설계
Ⅴ. 실험결과
Ⅵ. 결 론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (13)
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R. Rajsuman, “Design and Test of Large Embedded Memories: An Overview”, IEEE Design & Test of Computers, 2001.
S. E. Schuster, “Multiple word/bit line redundancy for semiconductor memories”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1978.
M. Horguchi, J. Etoh, M. Masakazu, K. Itoh, and T. Matumoto, “A flexible redundancy technique for high-density DRAM's”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1991.
T. Yamagata, H. Sato, K. Fujita, Y. Nishimura, and K. Anami, “A distributed globally replaceable redundancy scheme for sub-half-micro ULSI memories and beyond”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1996.
I. Kim, Y. Zorian, G. Komoriya, H. Pham, F. P. Higgins, and J. L. Lweandowski, “Built in self repair for embedded hish density SRAM”, in Proc. Int. Test Conf.(ITC), 1998.
S. E. Schuster, “Multiple word/bit line redundancy for semiconductor memories”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1978.
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