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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제8호
발행연도
2004.8
수록면
637 - 642 (6page)

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본 논문에서는 방전유지전극사이에 유전체 공극이 존재하는 능선형성의 싱판구조를 제안하였다. 이 구조는 상판의 방전 유지 전극사이 강한 전계를 이용하여 동작전압을 감소시킬 수 있고 이로 인한 Xe의 주입비율을 증가시켜 휘도 및 발광효율을 향상시킬 수 있는 구조이다. 실험에서는 6인치 테스트 패널을 사용하였으며 기체 압력을 450 torr로 유지하면서 Xe 함량을 10%, 15%, 20%, 30%, 50%로 변화하여 설험하였다. 실험결과, 10%의 동일한 Xe 기체를 주입한 결과, 제안된 구조를 적용 할 경우, 방전개시전압과 방전유지전압이 각각 79 V, 74 V 감소하였으며 10%의 Xe을 주입한 일반적인 구조와 50%의 Xe을 주입한 제안된 구조의 휘도와 발광효율 비교에서 본 논문에서 제안한 구조가 비슷한 구동전압 범위에서 일반적인 구조에 비하여 효율은 50.9% 향상되었고, 휘도는 33% 향상됨음 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 및 시뮬레이션

2. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

저자소개

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