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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.7
- 수록면
- 260 - 263 (4page)
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When ICP(Inductive Coupled Plasma) type etching and wafer manufacturing is being processed m semiconductor process, a noxious gas in PFC and CFC system is generated Gas cleaning dry scrubber is to remove This noxious gas. This paper describes a power source device, 2MHz switching frequency class 2kW RF Generator, used as a main power source of the gas cleaning dry scrubber. The power stage of DC/DC converter is consist of full bridge type converter with 100kHz switching frequency. Power amplifier is push pull type inverter with 2MHz switching frequency, and transmission line transformer The adequacy of the circuit type and the reliability of generating plasma In various load conditions are verified through 50Ω dummy load and chamber experiments result
목차
ABSTRACT
1.서론
2.시스템 구성
3.실험 결과
4.결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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