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We have newly developed two types of reverse conducting GTO(RC-GTO)thynstors with ratings of 2.5kV,2000A and t. 5kV,3000A. Good electrical separation between the GTO part and the diode part was attained by introducing a double diffused p-base profile. High turn-off capability was achieved by reducing the variation of on-state voltage and gate impedance among the GTO segments.
Especially for the 4.5kV, 3000A device, a pin Junction structure with anode shorting was applied in order to reduce on-state voltage and switching energy.
Especially for the 4.5kV, 3000A device, a pin Junction structure with anode shorting was applied in order to reduce on-state voltage and switching energy.
목차
ABSTRACT
INTRODUCTION
DEVICE STRUCTURE
DESIGN CONCEPT
Electrical characteristics
Conclusion
Acknowledgment
Reference
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