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The improvement progress of power MOSFETs is eviewed in breakdown voltage, on-resistance and high requency capabilities.
As a detailed issue, low on-resistance and high Reliability techniques for scaled-down cell structure power MOSFETs are discussed. Cell structure is optimized by three-dimensional computer analysis. The _hin gate oxide is protected using a polysilicon brotection diode. As a result, planar devices with a breakdown voltage of 50V and a specific on-resistance of 150 mohm-mm2 and 30V and 70 mohm-mm2 are realized.
As a detailed issue, low on-resistance and high Reliability techniques for scaled-down cell structure power MOSFETs are discussed. Cell structure is optimized by three-dimensional computer analysis. The _hin gate oxide is protected using a polysilicon brotection diode. As a result, planar devices with a breakdown voltage of 50V and a specific on-resistance of 150 mohm-mm2 and 30V and 70 mohm-mm2 are realized.
목차
Abstract
Introduction
Review of Improvement Progress
Analysis of on-resistance
Experiments and Discussion
Cate Reliability
Product Design
Conclusion
Reference
Acknowledgement
참고문헌 (0)
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