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전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제2권 제2호
발행연도
1997.6
수록면
1 - 7 (7page)

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커패시터 방진회로이 재직 및 시험을 위해서는 고가의 비용과 입험요소가 내새되여 있으며 특히 고전력 응용을 위해서는 이러한 요소는 더욱 커지게 된다 그내게방법으로는 컴푸터를 이용하여 이 회로의 등직을 모델링하고 시뮬레이션하는 것이다 본연구에서는 커패시터 방간 임펀스 사자기 사이요 시뮬레이션을 위한 SPICF 모델을 개발하고 시뮬레이션 결과를 실제 시스템의 측정치와 비교하였다 또한 작자가 시스템의 방진회로를 위한 온도산경방법을 제안하였다 특히 임펄스 착자기의 방잔회로의 온도산정은 착자회로 설계의 중요한 기침이 되므로 특히 중요하다 본 연구에 이용된 착지기는 저손실 유입 커패시터이며, 최대 1200[V]의 충전이 가능하가 이러한 착지 모델의 개별을 ^^러이 고임펄스 방전 회로의 설계 및 개발에 소요되는 시간 및 비용을 절약하는데 크게 기여할것이다

목차

요약

Abstract

1.INTRODUCTION

Ⅱ.CAPACTTOR DISCHARGE IMPULSE MAGNETIZER-MAGNETIZING FIXTURE SYSTEM

Ⅲ.COMPUTER CIRCUIT MODELING OF MAGNETIZER SYSTEM

Ⅳ.COMPUTER TIIERMAL MODELNG FOR DISCHARGING CIRCUIT OE MAGNETIZER SYSTEM

Ⅴ.CONCLUSIONS

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