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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제7호
발행연도
2004.7
수록면
545 - 549 (5page)

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We have fom1ulated an empirical analytic model for the static characteristics of implanted vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). Specifically. we have derived analytic formulas for the threshold current, slope efficiency, dynamic resistance, and the output power and forward voltage at the operation current of 12 mA in terms of the implant and metal-aperture radii by fitting the measured results. The radii of the mewl aperture and implant mask of the 850 nm VCSELs range from 4 to 12.5 ㎛ and 7 to 17.5 ㎛, respectively. The model shows the way of tailoring the VCSEL characteristics by changing the mask dimensions only.

목차

요약

Abstract

1.Introduction

2.DEVICE STRUCTURE

3.MODELING THE STATIC HARACTERISTICS

4.CONCLUSION

REFERENCES

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