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본 논문에서는 0.5㎛ GaAs MESFET을 이용하여 5GHz대 무선랜에 사용 가능한 MMIC 가변이득 저잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 이득과 잡음성능이 우수한 증가형 GaAs MESFET과 선형성이 좋은 공핍형 MESFET 조합의 캐스코드 구조로 저잡음 증폭기를 설계하기 위하여 Turlington의 점근선법을 이용하여 MESFET의 비선형 전류 전업특성에 대한 거동 모델 방정식을 도출하였다. 이로부터 캐스코드 증폭기의 공통 소오스 FET는 4x50㎛ 크기의 증가형 MESFET 으로 공통 케이트 FET는 2x50㎛ 크기의 공핍형 MESFET 으로 설계하였다. 제작된 가변이득 저잡음 증폭기의 잡음지수는 4.9GHz에서 2.4dB, 가변 이득범위는 17dB이상, IIp3는 -4.8dBm이며, 12.8mW의 전력을 소비하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저잡음 증폭기 설계
Ⅲ. 거동 모델을 이용한 MESFET 크기 최적화
Ⅳ. 저잡음 증폭기의 측정 결과
Ⅴ. 결론
감사의 글
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