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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제5호
발행연도
2004.5
수록면
15 - 21 (7page)

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본 논문에서는 저전력 스위치에 사용되는 소자의 포화전압 특성을 개선하기 위해 새로운 구조의 BJT를 제안하고 있다. 기존에 사용되던 finger transistor(FT)의 경우 포화전압이 높아 저전력 소자의 특성을 만족하지 않아 multi base island transistor(MBIT)로 구조를 변경함으로써 저전류 영역에서의 포화전압은 충분히 낮아 저전력용 소자의 특성을 만족하지만, 이 역시 고전류 영역에서는 여전히 포화전압이 높아져 저전력용 소자의 특성을 만족하지 못하는 문제가 발생한다. 이에 본 논문 에서는 folded back electrode를 이용한 새로운 구조의 BJT(FBET)를 제안하여 그 특성을 조사하였다. 새로운 구조의 트랜지스터를 적용함으로써 MBIT 구조에 비해 에미터 면적은 35% 증가하고 접촉장의 면적이 92% 증가하여, 저 전류 영역에서의 포화 전압은 30% 감소하였고 고 전류 영역에서의 포화 전압은 에미터 면적 증가와 에미터 접촉 창 면적 증가에 의해 각각 30%와 7%씩 감소하여 전체적으로는 37%가 감소하는 특성을 나타내었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 본론

3. 실험 및 결과

4. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (9)

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[학술지(정기간행물)] - Alvin B. Phillips / 1962. / Transistor Engineering : 173 ~ 225 google schola [학술지(정기간행물)] - S. M. Sze / 1988 / Physics of Semiconducctor : 314 ~ 316 google schola [학술지(정기간행물)] - B. Jayant Baliga / 1996. / Power Semiconductor Devices : 9 ~ 18 google schola [학술지(정기간행물)] - D. L. Bowler / pp.257-263. / High Current Regimes in Transistor Collector Regions ED-20 (3) google schola [학술지(정기간행물)] - W. Schultz / pp.26-36. / Dynamic Saturation Voltage - A Designer's Comparison google schola

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