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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제12호
발행연도
2002.12
수록면
1 - 7 (7page)

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본 논문에서는 펜타센을 활성층으로 사용하는 유기박막트랜지스터(OTFT)의 펜타센의 두께, 그리고 소오스 및 드레인 전극의 위치에 따른 소자의 성능 변화에 대하여 연구하였다. 펜타센 박막의 두께가 증가하면 그레인 상태가 박막상태에서 벌크상태로 변화하면서 결정도가 악화되어 성능이 열화하였고, 소오스와 드레인 전극을 펜타센 위에 제작한 소자의 경우 접촉저항은 감소하였으나 누설전류가 증가하여 전류 점멸비가 감소하였다. 그러므로, 펜타센의 두께는 300Å-700Å 내외, 그리고 전극은 펜타센 아래에 위치하는 것이 적합한 것으로 확인되었다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 소자제작 및 실험

Ⅲ. 결과

Ⅳ. 결론

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