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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제9호
발행연도
2003.9
수록면
1 - 7 (7page)

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Pt/TiO_x/SiO₂/Si 기판 위에 1,3-propanediol 을 이용해 sol-gel 법으로 제작한 PZT(30/70) 후막의 구조적 및 전기적, 강유전 특성에 대하여 조사하였다. 열처리 공정은 열 응력 (thermal stress) 를 줄이기 위해 RTA 를 사용하였고, 최종적으로 650℃의 로 (furnace) 에서 어닐링하였다. SEM 분석 결과 1회 코팅에 330nm 의 두께를 얻었으며, 3회 코팅으로 약 1μm 정도의 두께를 얻었다. C-D 측정결과, 1kHz 에서 비유전률과 유전손실은 각각 886 과 0.03 이었다. C-V 곡선은 좌우 대칭인 나비모양을 나타내었다. 누설전류밀도는 200kV/cm 에서 1.23×10^(-5)A/㎠이었으며, 이력곡선으로부터 구한 잔류분극 (P_r) 과 항전계 (E_c) 는 각각 33.8μC/㎠과 56.9kV/cm 이었다. 결론적으로 본 연구에서 제작된 PZT(30/70) 후막은 우수한 강유전 및 전기적 특성을 보였다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험 및 측정방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결론

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