DX 쎈터 트랩핑효과를 고려한 AlxGaAs1-x / GaAs HEMT 소자모델링과 문턱전압 보정에 관한 연구 ( Research about the Device Modeling of the DX Center Trapping Effect on a AlxGaAs1-x / GaAs HEMT and Threshold voltage correction )

황문기 ,  송영진 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

DX 쎈터관련 HEMT소자 제작동향

이재진 ,  김진섭

[ETRI] 전자통신동향분석

1990 .06

Improved Breakdown Voltage Characteristics of In_0.5Ga_0.5P/In_0.22Ga_0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate

I-H. Kang ,  J-W. Lee ,  S-J. Kang 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06

AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )

이진희 ,  윤형섭 ,  강석봉 외 7명

전자공학회논문지-A

1994 .09

35㎚ In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작

김영수 ,  이강승 ,  홍윤기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2006 .11

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

Analysis and Modeling for 1-5 Characteristics of HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1991 .01

통신용 초고속 반도체소자 - Digital GaAs 집적회로와 HEMT'S를 중심으로 - ( Ultra-High-Speed Semiconductor Devices for Data Communication Applications - Digital GaAs IC'S and HEMT｀S - )

이진구

한국통신학회논문지

1986 .06

MODELING AND SIMULATION FOR CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF HEMT`s

Kwang Mean Pa ,  k ,  Jang Woo Pa 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

HEMT 소자 제작을 위한 GaAs/AlGaAs층의 선택적 건식식각 ( Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs Layer for HEMT Device Fabrication )

김흥락 ,  서영석 ,  양승주 외 4명

전자공학회논문지-A

1991 .11

HeMT소자 공정 연구 - Part 2. HEMT 구조에서의 Ohmic 접촉저항 ( A Study on HEMT Device Process - Part 2. Ohmic Contact Resistance in GaAs/AlGaAs Hetero-Structure )

이종람 ,  이재진 ,  박성호 외 2명

전자공학회논문지

1989 .10

A SIMPLE MODEL for I-V CHARACTERISTICS of HEMTs

Kwang Mean Pa ,  k ,  Kae Dal Kwack

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1988 .01

HEMT Device Physics

이귀로

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

HEMT의 2차원 수치 해석 ( Two Dimensional Numerical Analysis of HEMT ` s )

김형래 ,  박장우 ,  김한구 외 2명

전자공학회논문지

1989 .11

타원 곡선 Y²=X³+DX의 한 응용

한상근

정보보호학회논문지

1992 .06

측정한 산란계수에 의한 HEMT Modeling 변수의 결정에 관한 연구 ( A Study of Determination of the Basic Device Parameters of HEMT Modeling by Measured S-parameter )

박순태 ,  손병문

전자공학회논문지-IE

2000 .03

n형 GaAs의 RTA에 따른 Deep Trap 연구 ( Deep Trap in N-type GaAs by Rapid Thermal Annealing )

강태원 ,  홍치유 ,  이해익 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

GaAs / AlGaAs HEMT 구조의 2DEG 측정 ( The Measurements of 2DEG in GaAs / AlGaAs HEMT structure )

이재진 ,  맹성재 ,  박효훈 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

An Accurate HEMT Model for Circuit Simulation Based on Device Structure

Kenichi Nakashi ,  Kenji Taniguchi ,  Yoshitaka Oka 외 2명

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1995 .01