PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성

이세정 ,  홍종성 ,  이창우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

GaAs Technology

김철규

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향

신동원 ,  박찬경 ,  곽준섭 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

고효율 GaAs / GaAs p-n, p-i-n 태양전지에 관한 연구

양수미 ,  이만근

한국태양에너지학회 학술대회논문집

1999 .04

레이저 CVD를 이용한 GaAs/GaAs 및 GaAs/Si 결정성장연구

최웅림 ,  구자강 ,  정진욱 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .07

Dynamical Simulation of Optical Phonon Transfer in the GaAs / AlxGa1-xAs / GaAs Single Barrier Structure

Seung Hoon Jhi ,  Ji Soon Ihm

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

광 효과를 이용한 GaAs MESFET의 광 제어 ( Optical Control of GaAs MESFET with Optical Effect )

이승엽 ,  장용성 ,  문호원 외 1명

전자공학회논문지

1989 .12

GaAs MESFET을 이용한 SPDT SWITCH들의 비교 및 임피던스 정합 SWITCH의 연구 ( GaAs MESFET SPDT SWITCHES COMPARISON & IMPEDENCE MATCHING SWITCH )

정용현 ,  어윤성 ,  이귀로

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

GaAs 결정성장

민석기

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

Physical Characterization of GaAs/$\textrm{Al}_{x}\textrm{Ga}_{1-x}\textrm{As}$/GaAs Heterostructures by Deep Level transient Spectroscopy

이원섭 ,  최광수

한국재료학회지

1999 .01

Design of High-performance 32-Channel GaAs Optical Receiver Array

Joong Ho Choi

대한전자공학회 토론회

1996 .01

Design of High-Performance 32-Channel GaAs Optical Receiver Array

Joongho Choi

대한전자공학회 학술대회

1996 .07

GaAs 반도체 공정기술 개발 연구 ( Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor )

권영세

특정연구 결과 발표회 논문집

1987 .01

GaAs 반도체 공정기술 개발 연구 ( A Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor )

권영세

한국통신학회 학술대회논문집

1987 .01

열처리가 GaAs의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Heat Treatment on Electrical Properlies of GaAs )

최병두 ,  김기수

전자공학회지

1974 .02

이종 표면 p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs 태양전지 ( Heteroface p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs Solar Cell )

윤권중 ,  엄우용 ,  임성규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

Al_xGa_1-x As/GaAs 태양 전지의 온도 특성

李承起 ,  韓民九

전기학회논문지

1989 .07

GaAs 나노입자 크기에 따른 SiO 혼합박막의 구조적 광학적 특성

이성훈 ,  김원목 ,  신동욱 외 4명

한국재료학회지

2002 .01

GaAs계의 ohmic contact개발을 위한 Si/Co/GaAs계의 계면반응에 대한 연구

곽준섭 ,  백홍구 ,  신동원 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Improved Breakdown Voltage Characteristics of In_0.5Ga_0.5P/In_0.22Ga_0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate

I-H. Kang ,  J-W. Lee ,  S-J. Kang 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06